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이방성

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anisotropic 〔æｎ｀ａｉｓ∂ｔｒ´ａｐｉｋ〕 이방성의

[百] 광학적 이방성 (光學的異方性) optically anisotropic

magnetic anisotropy : 자기적 이방성

anisotropic scaling : 이방성 배율

경계요소법에 의한 직교 이방성 다결정 재료의 응력해석에 관한 연구
A Study on Stress Analysis of Multi-Grain Orthotropic Material by Boundary Element Method

개별요소법을 이용한 불균질 및 이방성 암반의 역학적 거동 연구
Mechanical Behavior of heterogeneous and anisotropic rocks using Distinct Element Method

확산 텐서 영상을 이용한 심근 이방성 및 심근 섬유 추적의 평가에 있어 확산 경사자장 방향 개수의 효과
Effect of the Number of Diffusion-Sensitizing Gradient Direction for the Evaluation of Myocardial Anisotropy and Fiber Tracking on Diffusion Tensor MR Imaging

[木]Anisotropic (異 方 性) 이방성

(100)실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal
Direction of (100) Silicon Substrates
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다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다.
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation.
실험재료는 n형 기판위에 n+가 확산되고 그 위에 n 에피층이 있는
n/n+/n 구조의 (100) 실리콘 웨이퍼였다.
The starting material was (100) silicon n/n+/n wafer structured by
n+ -diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth.
상층부 n 실리콘 에피층을 식각하여 다공질 실리콘 층의 양극 반응 창을 내고
양극반응이 n+매몰층까지만 일어나게 한다.
After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous
silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only
to n+ -buried layer.
다공질 실리콘 층의 형성과정은 이방성이었다.
The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic,
반응창의 형태들이 서로 다를지라도 반응된 다공질 실리콘 영역의
모양은 모두 사각형 형태의 것이었다.
which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer
was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows.
이 실험 결과는 다공질 실리콘 양극반응은 화학반응에 달려 있는 것이 아니고
전기전도 성질 즉 결정방향에 따른 정공의 서로 다른 전도도에 있다는 것을 보여준다.
The experimental results show that the PSL anodisation process
does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property,
which is hole mobility depending on the crystal direction.

유전 이방성: dielectric anisotropy

aeolotropy
[물리학용어] 이방성


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