식각
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aquatint 〔´æｋｗ∂ｔａｉｎｔ〕 식각요판
etching 식각법, 에칭, 부식 동판
etch 〔ｅｔ∫〕 ...에 에칭하다..., 을식각하다, 식각법을 행하다
freezeetching 〔ｆｒｉ:ｚ´ｅｔ∫ｉŋ〕 동결 식각법
[위키] 습식 식각 Chemical milling
[百d] 인그레이빙 [ engraving, 식각판화 ]
echant : 식각제, 부식시약, 부식제
etching : 식각, 에칭, 부식
etching reagent : 식각제, 부식시약, 부식제
HS8486207000
반도체 웨이퍼를 습식 식각, 현상, 스트리핑하거나 세척하는 기계
Apparatus for wet etching, developing, stripping or cleaning semiconductor wafers
HS8486401040
마스크와 레티클을 식각, 세척, 스트리핑하는 기계와 기기
Machines and apparatus for etching, cleaning or stripping mask and reticle
전기 식각 electrograving
dry plasma etching : 건식 플라즈마 식각
과불화탄소와 불포화 불화탄소 플라즈마를 이용한 실리콘 식각의 특성
Characteristics of deep Si etching using perfluorocarbon and unsaturated fluorocarbon plasmas
(100)실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal
Direction of (100) Silicon Substrates
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다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다.
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation.
실험재료는 n형 기판위에 n+가 확산되고 그 위에 n 에피층이 있는
n/n+/n 구조의 (100) 실리콘 웨이퍼였다.
The starting material was (100) silicon n/n+/n wafer structured by
n+ -diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth.
상층부 n 실리콘 에피층을 식각하여 다공질 실리콘 층의 양극 반응 창을 내고
양극반응이 n+매몰층까지만 일어나게 한다.
After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous
silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only
to n+ -buried layer.
다공질 실리콘 층의 형성과정은 이방성이었다.
The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic,
반응창의 형태들이 서로 다를지라도 반응된 다공질 실리콘 영역의
모양은 모두 사각형 형태의 것이었다.
which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer
was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows.
이 실험 결과는 다공질 실리콘 양극반응은 화학반응에 달려 있는 것이 아니고
전기전도 성질 즉 결정방향에 따른 정공의 서로 다른 전도도에 있다는 것을 보여준다.
The experimental results show that the PSL anodisation process
does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property,
which is hole mobility depending on the crystal direction.
(100)실리콘의 깊은 비등방성 식각시 식각면의 가장자리에 존재하는
불균일성의 짤막한 고찰
Short Consideration on the Non-Uniformities Existing at the Etched-edges
in Deep Anisotropic Etching of (100) Silicon
-
(100) 실리콘 기판에 대해 깊은 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의
가장자리에 존재하는 불균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에
의한 것임을 관찰할 수 있었다.
In deep anisotropic etching of (100)-oriented Si substrate,
it could be observed that the non-uniformities existing
near the etched-edge were caused by lattice defects and mechanical
stress at the etching interface.
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