기판
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PC board 프린트 배선 기판
circuit board 회로 기판 *전자 제품 또는 프린트 회로 등에 부착하는 절연판
[위키] 인쇄 회로 기판 Printed circuit board
HS8486301040
감광성 평판디스플레이용 기판에 회로모형을 투영하거나 드로잉하는 기기
Apparatus for the projection or drawing of circuit patterns on sensitised flat panel display substrates
집단소송의 기판력이 미치는 총원 4972명이 모두 금액을 청구했을 때 평균적으로 받을 수 있는 금액은 약 29만원이다.
When the total personnel of 4,972 people that would be effected of Res Judicata from class action all charge a fee, the average amount they can receive is about 290,000 KRW.
Increased performance, along with reduced power consumption and space
requirements, will permit a new class of applications such as Internet
television, autonomous home robots and real-time videophones, the company
said.
이 회사는 이같은 고성능 칩 개발은 전기소비량을 감소시키고 기판상에 차지하
는 공간을 줄일 수 있을 뿐아니라 인터넷 TV과 독자적인 가정용 로봇, 실시간
영상전화와 같은 새로운 차원의 응용 프로그램을 실현시킬 것으로 기대했다.
경연성 인쇄 회로 기판 Rigid Flexible PCB, RF PCB
광 연성 인쇄 회로 기판 Optical Flexible Printed Circuit Board, Optical FPCB
다용도 기판 universal board
단일 기판 마이크로컴퓨터 single-board microcomputer
사파이어 기판 sapphire board
실리콘 기판 silicon substrate
연성 인쇄 회로 기판 안테나 Flexible Printed Circuit Board antenna, FPCB antenna
연성 회로 기판 Flexible Printed Circuit Board, FPCB
인쇄 배선 기판 Printed Wiring Board, PWB
인쇄 회로 기판 Printed Circuit Board, PCB
제도 기판 plotting board
add-in board : 애드-인 기판
board : 기판
board computer : 기판 컴퓨터
board exchange warranty : 기판 교환 보증
coprocessor board : 보조 처리기 기판
daughter board : 보조 기판
functional board tester : 기능 기판 시험기
memory board : 기억장치 기판
motherboard : 본체 기판
multifunction board : 다기능 기판
multilayer board : 다층 기판
multilayer PCB : 다층 인쇄 회로 기판
multilayer printed circuit board : 다층 인쇄 회로 기판
on-board regulation : 기판별 정전압기 방식
one-board computer : 단일 기판 컴퓨터
one-board microcomputer : 단일 기판 마이크로 컴퓨터
printed circuit board(PCB) : 인쇄 회로 기판
single board computer : 단일 기판 컴퓨터
single board microcomputer : 단일 기판 마이크로 컴퓨터
speedup board : 고속화 기판
substrate : 기판
system board : 시스템 기판
universal board : 만능 기판
RF 마그네트론 스퍼터링에 의한 사파이어 기판에 n-ZnO/p-GaN 이종접합구조 LED 소자제작과 특성분석
Fabrication and characterization of RF magnetron sputtered ZnO / GaN heterostructure light-emitting diodes and study of interlayer
가) "반도체 기반"이란 반도체 기판 위에 형성·제조되었거나 반도체 재료로 만들어진 것으로서, 반도체 기술로 제조되고, 반도체 기판이나 재료가 트랜스듀서 기능과 성능에 핵심적이고 대체불가능한 역할을 수행하며, 그 작동이 물리적·전기적·화학적·광학적 특성을 포함한 반도체 특성에 기반하는 것을 말한다.
(1) “Semiconductor-based” means built or manufactured on a semiconductor substrate or made of semiconductor materials, manufactured by semiconductor technology, in which the semiconductor substrate or material plays a critical and unreplaceable role of transducer function and performance, and the operation of which is based on semiconductor properties including physical, electrical, chemical and optical properties.
(100)실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal
Direction of (100) Silicon Substrates
-
다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다.
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation.
실험재료는 n형 기판위에 n+가 확산되고 그 위에 n 에피층이 있는
n/n+/n 구조의 (100) 실리콘 웨이퍼였다.
The starting material was (100) silicon n/n+/n wafer structured by
n+ -diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth.
상층부 n 실리콘 에피층을 식각하여 다공질 실리콘 층의 양극 반응 창을 내고
양극반응이 n+매몰층까지만 일어나게 한다.
After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous
silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only
to n+ -buried layer.
다공질 실리콘 층의 형성과정은 이방성이었다.
The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic,
반응창의 형태들이 서로 다를지라도 반응된 다공질 실리콘 영역의
모양은 모두 사각형 형태의 것이었다.
which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer
was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows.
이 실험 결과는 다공질 실리콘 양극반응은 화학반응에 달려 있는 것이 아니고
전기전도 성질 즉 결정방향에 따른 정공의 서로 다른 전도도에 있다는 것을 보여준다.
The experimental results show that the PSL anodisation process
does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property,
which is hole mobility depending on the crystal direction.
(100)실리콘의 깊은 비등방성 식각시 식각면의 가장자리에 존재하는
불균일성의 짤막한 고찰
Short Consideration on the Non-Uniformities Existing at the Etched-edges
in Deep Anisotropic Etching of (100) Silicon
-
(100) 실리콘 기판에 대해 깊은 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의
가장자리에 존재하는 불균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에
의한 것임을 관찰할 수 있었다.
In deep anisotropic etching of (100)-oriented Si substrate,
it could be observed that the non-uniformities existing
near the etched-edge were caused by lattice defects and mechanical
stress at the etching interface.
FPC
연성 회로 기판; Flexible Printed Circuit, FPC
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