conduction
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conduction band 전도대
conduction current 전도 전류
conduction 〔ｋ∂ｎｄ´∧ｋ∫∂ｎ〕 (물을 관 등으로)끌어 들임, 유도(작용), 전도
convection 〔ｋ∂ｎｖ´ｅｋ∫∂ｎ〕 전달, (열.공기의)대류, 환류, (conduction, radiation과 구별하여)
When heat travels by conduction, it moves through a material without
carrying any of the material with it.
열이 전도에 의해서 여행할 때, 그것은 자신과 함께 그 물질의 어느 부분도
운반하지 않으면서 한 물질을 통과한다.
[위키] 전도띠 Valence and conduction bands
[위키] 열전도 Thermal conduction
[百] 열전도 (熱傳導) heat conduction
[百] 전기전도 (電氣傳導) electric conduction
[百] 열전도율 (熱傳導度) Thermal conduction rate
[百] 감쇠불감쇠설 (減衰不減衰說) theory of decrement-decrementless conduction
[百] 자극전도계 (刺戟傳導系) conduction system
[百] 골전도 (骨傳導) bone conduction
[百d] 열전도 [ 熱傳導, thermal conduction ]
[百d] 골전도 [ 骨傳導, bone conduction ]
[百d] 전도전자 [ 傳導電子, conduction electron ]
conduction 이끌기
coefficient of heat conduction 열전도곁수
conduction 전도
conduction band 전도띠
conduction-band edge 전도띠끝
conduction current 전도전류
conduction electron 전도전자
electrical conduction 전기전도
heat conduction 열전도
heat conduction calorimeter 열전도 열량계
hole conduction 양공<전기>전도,구멍전도
impurity conduction 불순물전도
intrinsic conduction 배내전도,고유전도
ionic conduction 이온전도
thermal conduction 열전도,열흘려보냄
thermionic conduction 열전자전도
conduction band : 전도 띠
conduction current : 전도 전류
conduction electron : 전도 전자
electrolytic conduction : 전해질 (전기)전도
electronic conduction : 전자 전도
heat conduction : 열전도
heat conduction calorimeter : 열전도 열량계
hole conduction : 양공[정공] 전도, 구멍 (전기)전도
hopping conduction : 도약 전도
ionic conduction : 이온 (전기)전도
solid heat conduction : 고체 열 전도
heat conduction 열전도
환자의 증상을 확인한 뒤 신경학 검사, 신경전도 검사 등을 거친 뒤 확진한다.
After checking the patient's symptoms, the infection is confirmed after going through a neurological test and a nerve conduction test.
골전도 헤드폰 Bone Conduction Headphone
표면전도 전자방출 디스플레이 Surface-Conduction Electron-Emitter Display, SED
antidromic conduction (역방향성 전도, 역전도)
conduction (전도) 음파, 열, 신경자극, 전류 등의 전달.
minimum conduction velocity (최소 유도 속도)
nerve conduction (신경 전도)
somatosensory conduction pathway (체감각 전도 경로)
[航]conduction 전도(傳導)
600kJ급 전도냉각 고온초전도 SMES의 냉동기와 마그네트 사이의 절연 특성 연구
A Study on Insulation Characteristics between Cryocooler and Magnet for 600kJ Class Conduction Cooling HTS SMES
전도냉각 고온초전도 SMES의 턴간 및 층간 기초 절연특성 연구
Research on the Basic Insulation Characteristics of Turn-turn and Layer-layer for Conduction Cooled HTS SMES
I45 기타 전도 장애(Other conduction disorders)
-
I45.0 우 섬유속 차단(Right fascicular block)
I45.1 기타 및 상세불명의 우각 차단(Other and unspecified right bundle-branch block)
우각 차단(Right bundle-branch block) NOS
I45.2 이중섬유속 차단(Bifascicular block)
I45.3 삼중섬유속 차단(Trifascicular block)
I45.4 명시되지 않은 심실내 차단(Nonspecific intraventricular block)
각차단(Bundle-branch block) NOS
I45.5 기타 명시된 심장 차단(Other specified heart block)
동방 차단(Sinoatrial block)
동심이(洞心耳) 차단(Sinoauricular block)
제외：심장 차단 (heart block) NOS(I45.9)
I45.6 조기흥분 증후군(Pre-excitation syndrome)
이상 방실 흥분(Anomalous atrioventricular excitation)
촉진 방실 전도(Accelerated atrioventricular conduction)
부(副) 방실 전도(Accessory atrioventricular conduction)
조기흥분 방실 전도(Pre-excitation atrioventricular conduction)
로운-가농-레빈 증후군(Lown-Ganong-Levine syndrome)
볼프-파킨슨-화이트 증후군(Wolff-Parkinson-White syndrome)
I45.8 기타 명시된 전도 장애(Other specified conduction disorders)
방실 해리(Atrioventricular [AV] dissociation)
해리 간섭(Interference dissociation)
I45.9 상세불명의 전도 장애(Conduction disorder, unspecified)
심장 차단(Heart block) NOS
스톡스-아담스 증후군(Stokes-Adams syndrome)
I46 심장 정지(Cardiac arrest)
-
제외：심원성 쇽(cardiogenic shock)(R57.0)
유산, 자궁외 임신 또는 기태 임신과 합병된(complicating abortion or ectopic or molar
pregnancy)(O00-O07, O08.8)
산과적 외과수술 및 처치의 합병(complicating obstetric surgery and procedures)(O75.4)
I46.0 인공소생술에 성공한 심장정지(Cardiac arrest with successful resuscitation)
I46.1 심장성 급사로 기술된 것(Sudden cardiac death, so described)
제외：급사(sudden death) NOS(R96.-)
전도 장애를 동반한 급사(sudden death with conduction disorder)(I44-I45)
심근경색을 동반한 급사(sudden death with myocardial infarction)(I21-I22)
I46.9 상세불명의 심장 정지(Cardiac arrest, unspecified)
의 이상기능 또는 기타 합병증(malfunction or other complications of device)-색인표
참조
Z45.0 심박조율기의 조정 및 관리(Adjustment and management of cardiac pacemaker)
맥박 발전기의 조사 및 시험(Checking and testing of pulse generator[battery])
Z45.1 주입펌프의 조정 및 관리((Adjustment and management of infusion pump)
Z45.2 맥관통로장치의 조정 및 관리(Adjustment and management of vascular access device)
Z45.3 삽입청력장치의 조정 및 관리(Adjustment and management of implanted hearing device)
골전도장치(Bone conduction device)
달팽이 장치(Cochlear device)
Z45.8 기타 삽입 장치의 조정 및 관리(Adjustment and management of other implanted devices)
Z45.9 상세불명의 삽입장치의 조정 및 관리(Adjustment and management of unspecified implanted device)
Z96 기타 기능적 삽입물의 존재(Presence of other functional implants)
-
제외：내부 보형 장치, 삽입물 및 이식편의 합병증(complications of internal prosthetic devices,
implants and grafts)(T82-T85)
보철물 및 기타 장치의 부착 및 조정(fitting and adjustment of prosthetic and other
devices)(Z44-Z46)
Z96.0 비뇨생식기의 삽입물의 존재(Presence of urogenital implants)
Z96.1 눈속의 렌스의 존재(Presence of intraocular lens)
가성수정체(Pseudophakia)
Z96.2 이과 및 청과학의 삽입물의 존재(Presence of otological and audiological implants)
골도청력 장치(Bone-conduction hearing device)
달팽이수도관 삽입물(Cochlear implant)
유스타키오관 스텐트(Eustachian tube stent)
고막절개관(Myringotomy tubes)
등자골 대치물(Stapes replacement)
Z96.3 인공 후두의 존재(Presence of artificial larynx)
Z96.4 내분비성 삽입물의 존재((Presence of endocrine implants)
인슐린 펌프(Insulin pump)
Z96.5 치근 및 하악골 삽입물의 존재(Presence of tooth-root and mandibular implants)
Z96.6 정형외과성 관절 삽입물의 존재(Presence of orthopaedic joint implants)
손가락 관절 교체 (Finger-joint replacement)
고관절 교체(Hip-joint replacement) (일부, partial) (전부, total)
Z96.7 기타 뼈 및 건 삽입물의 존재(Presence of other bone and tendon implants)
두개골 판(Skull plate)
Z96.8 기타 명시된 기능적 삽입물의 존재(Presence of other specified functional implants)
Z96.9 상세불명의 기능적 삽입물의 존재(Presence of functional implant, unspecified)
(100)실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal
Direction of (100) Silicon Substrates
-
다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다.
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation.
실험재료는 n형 기판위에 n+가 확산되고 그 위에 n 에피층이 있는
n/n+/n 구조의 (100) 실리콘 웨이퍼였다.
The starting material was (100) silicon n/n+/n wafer structured by
n+ -diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth.
상층부 n 실리콘 에피층을 식각하여 다공질 실리콘 층의 양극 반응 창을 내고
양극반응이 n+매몰층까지만 일어나게 한다.
After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous
silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only
to n+ -buried layer.
다공질 실리콘 층의 형성과정은 이방성이었다.
The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic,
반응창의 형태들이 서로 다를지라도 반응된 다공질 실리콘 영역의
모양은 모두 사각형 형태의 것이었다.
which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer
was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows.
이 실험 결과는 다공질 실리콘 양극반응은 화학반응에 달려 있는 것이 아니고
전기전도 성질 즉 결정방향에 따른 정공의 서로 다른 전도도에 있다는 것을 보여준다.
The experimental results show that the PSL anodisation process
does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property,
which is hole mobility depending on the crystal direction.
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