전도도
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HS2853
인화물(燐化物)(화학적으로 단일한 것인지에 상관없으며 인철은 제외한다), 그 밖의 무기화합물[증류수나 전도도수(傳導度水)와 이와 유사한 순도의 물을 포함한다], 액체 공기[희가스(rare gas)가 제거된 것인지에 상관없다], 압축 공기, 아말감(amalgam)[귀금속의 아말감(amalgam)은 제외한다]
Phosphides, whether or not chemically defined, excluding ferrophosphorus; other inorganic compounds (including distilled or conductivity water and water of similar purity); liquid air (whether or not rare gases have been removed); compressed air; amalgams, other than amalgams of precious metals.
HS2853901000
증류수, 전도도수와 이와 유사한 순도의 물
Distilled or conductivity water and water of similar purity
체외혈액 투석기기 및 용품 Extracorporeal hemodialysis equipment and supplies
혈액투석용 투여키트 또는 세트 Hemodialysis administration kits or sets or accessories
혈액투석용 혈액백 샘플러 Hemodialysis blood bag samplers
혈중 산소 요구량 장치 Hemodialysis blood oxygen demand apparatus
혈액투석용 의자 Hemodialysis chairs
혈액투석용 전도도 계 Hemodialysis dialysate conductivity meters
혈액투석용 레벨감지기 Hemodialysis dialysate level detectors
혈액투석용 압력 펌프 Hemodialysis dialysate pressure pumps
혈액투석용 용액 Hemodialysis dialysate solutions
혈액투석용 탱크 Hemodialysis dialysate tanks
폴리아닐린 고분자 혼합물의 전도도 향상 연구
Conductivity Improvement of Polyaniline by blending
(100)실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal
Direction of (100) Silicon Substrates
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다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다.
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation.
실험재료는 n형 기판위에 n+가 확산되고 그 위에 n 에피층이 있는
n/n+/n 구조의 (100) 실리콘 웨이퍼였다.
The starting material was (100) silicon n/n+/n wafer structured by
n+ -diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth.
상층부 n 실리콘 에피층을 식각하여 다공질 실리콘 층의 양극 반응 창을 내고
양극반응이 n+매몰층까지만 일어나게 한다.
After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous
silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only
to n+ -buried layer.
다공질 실리콘 층의 형성과정은 이방성이었다.
The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic,
반응창의 형태들이 서로 다를지라도 반응된 다공질 실리콘 영역의
모양은 모두 사각형 형태의 것이었다.
which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer
was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows.
이 실험 결과는 다공질 실리콘 양극반응은 화학반응에 달려 있는 것이 아니고
전기전도 성질 즉 결정방향에 따른 정공의 서로 다른 전도도에 있다는 것을 보여준다.
The experimental results show that the PSL anodisation process
does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property,
which is hole mobility depending on the crystal direction.
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