사각형
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chador 〔ｔ∫´∧ｄ∂ｒ〕 차도르(인도.이란 여성이 베일이나 숄로 사용하는 검은 사각형 천)
eyeminded 〔´ａｉｍ´ａｉｎｄｉｄ〕 사각형의
redoubt 〔ｒｉｄ´ａｕｔ〕 사각형보루, (임시의)작은)보루, 요새
refectory table (refectory에서 쓰는)튼튼하고 묵직한 다리가 있는 길쭉한 사각형 식탁, 양끝을 접을 수있는 길쭉한 식탁
trapezium 〔ｔｒ∂ｐ´ｉ:ｚｉ∂ｍ〕 사다리꼴, 부등변 사각형
trapezoid 〔ｔｒ´æｐ∂ｚ｀ｏｉｄ〕 부등변 사각형(의), 사다리꼴(의)
square 정사각형, 제곱, 평방; 사각형의, 제곱의, 공정한
boxy 상자형의, 거의 사각형의
square는 사각형, 평방미터 말고도 뜻이 여러가지가 있지요. 예
를 들어서 'I will be square with you. (난 당신에게 솔직하게 말씀
드리겠습니다.)' 라는 말이 되고 square person 이라고 하면 '고리타
분한 사람'을 뜻하는 말입니다. 그런데 square 라고 하는 말은 편평한
이라는 뜻도 있지요. 예를 들어서 square own's debt 라고 하면 '빚을
편평하게 하다, 즉 빚을 청산하다, 빚을 갚다' 라는 뜻이 되지요. 그
래서 square meal 하는 표현은 1800년대 말부터 쓰이기 시작한 표현으
로서 '영양가를 골고루 섭취한 풍부한 식사'라는 뜻이 됩니다. 그래서
하루의 세 끼를 three meals 라고 이야기를 하지요. 그런데 영양가가
풍족한 세 끼를 가리킬 때에는 three squares라고 합니다. 왜 square
라는 말에 영양가가 풍부한 이라는 말이 되었느냐면 음식을 크게 네가
지의 부류로 나눌수가 있거든요. 먼저 milk group (우유 제품), meal
group (육류 제품), the vegetable and fruit group (야채, 과일제품)
그리고 bread and cereal group (빵과 곡류 제품) 으로 나뉩니다. 그
런데 이 square meal이라고 하는 것은 네 부류를 꼭지점으로 모든면이
평형을 유지하는 정사각형과 같은 식단이라는, 즉 영양소가 골고루 들
어있는 음식을 말합니다. 그래서 생겨난 말이 바로 square meal 입니
다. 충분한 식사, 영양가가 풍부한 식사라는 말입니다.
[生] Punnett's square (푸네트의 사각형) (푸네트의 四角形)
half plaid square 반격자무늬 사각형
lattice square 격자 사각형
plaid square design 격자무늬 사각형 계획
plaid square 격자무늬 사각형
색이 고르고 위에서 봤을 때 둥근 사각형 모양이 좋은 단감이고 만졌을 때 단단한 것이 신선한 것이다.
A good sweet persimmon looks rounded square when viewed from above, and fresh ones feel firm when you grabbed it.
rectangle : 사각형
rectangular pulse : 사각형 펄스
median oblong (정중 사각형)
장주(Traffic Patten)란 비행장주변에서 운영되는 항공기의 안전을 도모하고
정해진 절차에 의해 이륙 및 착륙을 위해 만들어진 다음 5개의 가상의 경로로
만들어진 사각형의 형태이다.
1) 정풍경로(Upwind Leg) - 항공기의 이륙 및 착륙방향으로 바람을 안고
활주로와 평행인 비행경로
2) 측풍경로(Crosswind Leg) - 이륙후 활주로의 연장선과 수직이 되는 비행경로
3) 배풍경로(Downwind Leg)- 착륙방향의 반대쪽으로 활주로와 평행이나 바람을
등지고 비행하는 비행경로
4) 기초경로(Basewind Leg) - 착륙접근방향과 직각을 이루며 배풍경로와 활주로
연장선과 연결시킨 비행경로
5) 최종접근경로(Final Approch Leg) - 활주로 연장선에 있으며 정풍경로와 같은
방향에 있는 비행경로
(100)실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal
Direction of (100) Silicon Substrates
-
다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다.
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation.
실험재료는 n형 기판위에 n+가 확산되고 그 위에 n 에피층이 있는
n/n+/n 구조의 (100) 실리콘 웨이퍼였다.
The starting material was (100) silicon n/n+/n wafer structured by
n+ -diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth.
상층부 n 실리콘 에피층을 식각하여 다공질 실리콘 층의 양극 반응 창을 내고
양극반응이 n+매몰층까지만 일어나게 한다.
After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous
silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only
to n+ -buried layer.
다공질 실리콘 층의 형성과정은 이방성이었다.
The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic,
반응창의 형태들이 서로 다를지라도 반응된 다공질 실리콘 영역의
모양은 모두 사각형 형태의 것이었다.
which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer
was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows.
이 실험 결과는 다공질 실리콘 양극반응은 화학반응에 달려 있는 것이 아니고
전기전도 성질 즉 결정방향에 따른 정공의 서로 다른 전도도에 있다는 것을 보여준다.
The experimental results show that the PSL anodisation process
does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property,
which is hole mobility depending on the crystal direction.
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